陈瑞熊 ,张钢

摘要(Abstract)：

通过改变偏压可以得到高低不同的热激电流峰值。本文给出据此确定半导体中深能级浓度的公式。并以掺铂n型硅中的能级Ec-0.23ev为例,说明该方法的应用。

关键词(KeyWords)：

Abstract:

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作者(Author): 陈瑞熊 ,张钢

参考文献(References)：

• [1] I. Marko, 1980． Phys.Stat.Sol. (a), 58, 367
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